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Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode. Sie hat keinen p-n-Übergang (Halbleiter-Halbleiter-Übergang), sondern einen (sperrenden) Metall-Halbleiter-Übergang. Diese Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter bezeichnet man als Schottky-Kontakt bzw. in Anlehnung an die auftretende Potentialbarriere als Schottky-Barriere. Wie der p-n-Übergang ist auch die Schottky-Diode ein Gleichrichter. Bei Schottky-Dioden ist die Materialkomposition (z. B. Dotierung des Halbleiters und Austrittsarbeit des Metalls) so gewählt, dass sich in der Grenzfläche im Halbleiter eine Verarmungszone ausbildet. Damit unterscheidet sich der nichtlineare Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem ohmschen Kontakt, der das Verhalten eines teilweise linearen ohmschen Widerstands zeigt.