Back إيسامو أكاساكي Arabic ايسامو اكاساكى ARZ ایسامو آکاساکی AZB Ісаму Акасакі Byelorussian Исаму Акасаки Bulgarian ইসামু আকাসাকি Bengali/Bangla Isamu Akasaki BS Isamu Akasaki Catalan Isamu Akasaki Czech Isamu Akasaki German

Isamu Akasaki

 Isamu Akasaki
Personlig information
Født30. januar 1929(1929-01-30)
Chiran, Japan Rediger på Wikidata
Død1. april 2021 (92 år) Rediger på Wikidata
Nagoya, Japan Rediger på Wikidata
DødsårsagLungebetændelse Rediger på Wikidata
NationalitetJapan Japansk
BopælKagoshima-præfekturet Rediger på Wikidata
SøskendeMasanori Akasaki Rediger på Wikidata
Uddannelse og virke
Uddannelses­stedSyvende Højere Skole,
Kōnan Gymnasium,
Universitetet i Nagoya,
Kyotos universitet Rediger på Wikidata
Medlem afThe Institute of Electrical and Electronics Engineers Rediger på Wikidata
BeskæftigelseProfessor, forsker, fysiker, ingeniør Rediger på Wikidata
FagområdeFysiker Rediger på Wikidata
ArbejdsgiverUniversitetet i Nagoya, Panasonic Corporation, Denso Ten, Universitetet i Meijo Rediger på Wikidata
Nomineringer og priser
UdmærkelserCharles Stark Draperpris (2015),
IEEE Fellow,
Medalje med lilla bånd (1996),
IEEE Jack A. Morton Award[1] (1998),
doctorat honoris causa de l'université Montpellier-II (1999) med flere Rediger på Wikidata
Nobelpris  Fysik 2014
Information med symbolet Billede af blyant hentes fra Wikidata. Kildehenvisninger foreligger sammesteds.

Isamu Akasaki (赤崎 勇 Akasaki Isamu, født 30. januar 1929, død 1. april 2021) var en japansk ingeniør og fysiker, der var specialiseret i halvledereteknologi. Han er bedst kendt for at opfinde den kraftige galliumnitrid (GaN) pn-overgang blå LED i 1989 og den efterfølgende forbedrede udgave.[2][3][4][5][6]

Han modtog Kyoto Prize i Advanced Technology i 2009 for denne opfindelse,[7] og IEEE Edison Medal i 2011.[8] Han modtog nobelprisen i fysik sammen med Hiroshi Amano og Shuji Nakamura i 2014,[9] "for opfindelsen af effektive blå lysdioder, som har gjort det muligt at fremstille lysstærke og energibesparende hvide lyskilder."

  1. ^ Navnet er anført på svensk og stammer fra Wikidata hvor navnet endnu ikke findes på dansk.
  2. ^ "Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Arkiveret fra originalen 22. juli 2012. Hentet 2015-11-10.
  3. ^ "Japanese Journal of Applied Physics". jsap.jp. Arkiveret fra originalen 18. april 2012. Hentet 2015-11-10.
  4. ^ Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 28 (Part 2, No. 12): L2112-L2114. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN 0021-4922.
  5. ^ Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu (1991). "Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED". Journal of Luminescence. Elsevier BV. 48-49: 666-670. Bibcode:1991JLum...48..666A. doi:10.1016/0022-2313(91)90215-h. ISSN 0022-2313.
  6. ^ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: "GaN-based UV/blue light emitting devices", Inst. Phys. Conf. Ser. No.129, pp. 851-856, 1992
  7. ^ "INAMORI FOUNDATION". Inamori-f.or.jp. Arkiveret fra originalen 4. marts 2016. Hentet november 10, 2015.
  8. ^ "IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients" (PDF). IEEE. Hentet 15. april 2012.
  9. ^ "The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release". Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Hentet 7. oktober 2014.

Developed by StudentB