Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur

MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator

Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B. Feldeffekttransistoren, CCD-Sensoren, aus welchen sich wiederum erweiterte Anwendungen ergeben, z. B. Mikroprozessoren.

Die Struktur besteht aus einem Träger (meist reines Silizium) und einer darüber befindlichen Metallschicht. Diese beiden Schichten werden durch eine dünne Isolatorschicht getrennt. Es bildet sich ein Kondensator. Als Isolatoren werden derzeit (2008) hauptsächlich Siliciumdioxid, seltener auch Siliciumnitrid, verwendet. Da hierbei ein Oxid (Siliciumdioxid, SiO2) als Isolator eingesetzt wird, spricht man auch von MOS-Strukturen. Typische Anwendungsbeispiele sind der MIS-Kondensator und der MOS-Feldeffekttransistor.


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