Back تنضيد الحزمة الجزيئية Arabic Epitaxia de feix molecular Catalan Epitaxe z molekulárních svazků Czech Molekylærstråleepitaksi Danish Molecular-beam epitaxy English برآرایی پرتو-مولکولی Persian Épitaxie par jet moléculaire French Eipeatacsacht léis mhóilínigh Irish אפיטקסיית קרן מולקולרית HE Epitassia da fasci molecolari Italian
Molekularstrahlepitaxie (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen.
Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um einkristalline Strukturen[1] aus Halbleiterverbindungen wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP), GaInNAs, Galliumantimonid (GaSb) auf einem Substrat zu erzeugen.
Sie wurde Ende der 1960er Jahre an den Bell Laboratories durch Alfred Y. Cho und John R. Arthur entwickelt.
- ↑ Solche Strukturen sind z. B. Quantentröge, Quantendrähte und sog. Quantenpunkte.