Der Multiemitter-Transistor stellt eine besondere Form von Bipolartransistor dar. Er verfügt über einen Basis- (B) und einen Kollektoranschluss (C), aber im Unterschied zu herkömmlichen Bipolartransistoren weist er mehrere Emitteranschlüsse (E1,…,En) auf. Schaltungstechnisch stellt er eine Parallelschaltung mehrerer herkömmlicher Bipolartransistoren dar, deren Basis- bzw. Kollektoranschlüsse zu je einem Anschluss zusammengefasst sind und deren Emitteranschlüsse separat verfügbar sind. Damit lassen sich leicht AND- und OR-Gatter, sowie deren Negationen (NAND- und NOR-Gatter) aufbauen. So lange einer der Emitter auf tiefem Potential (LOW) liegt, hat auch der Ausgang ein tiefes Potential. Nur wenn alle Emitter ein hohes Potential (HIGH) haben, hat auch der Ausgang (Kollektor) ein hohes Potential.