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La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.[1]
- ↑ Johan Åkerman, "Toward a Universal Memory", Science, Vol. 308. no. 5721 (22 April 2005), pp. 508 – 510, doi 10.1126/science.1110549