Skaneeriv tunnelmikroskoopia, lühend STM (inglise keele sõnadest scanning tunneling microscopy) on meetod keemias, mis võimaldab saada pinna topograafiast kolmemõõtmelist informatsiooni ja kujutada pinda atomaarsel tasemel.[1] STM tagab piisavalt hea lahutusvõime: pinnal umbes 0,1 nm ja sügavuti ligikaudu 0,01 nm.[2]
STM kasutab elektronide laineomadusi, nimelt elektronid võivad tungida läbi sealt, kus klassikaline mehaanika seda ei lubaks. Sellist nähtust nimetatakse tunneliefektiks. STM põhineb teraviku ja pinna vahel tekkiva tunnelvoolu mõõtmisel.[3] STM-i saab kasutada nii ülikõrge vaakumi keskkonnas kui ka õhu, gaasi, vee ja mitmesugustes lahuselistes keskkondades. Mõõtmisi saab läbi viia temperatuuridel ligikaudu nullist kelvinist kuni mõnesaja kraadini Celsiuse järgi.[2]
Skaneeriv tunnelmikroskoopia kuulub skaneeriva teravikmikroskoopia perekonda.[4]