Skaneeriv tunnelmikroskoopia

Skaneeriv tunnelmikroskoopia, lühend STM (inglise keele sõnadest scanning tunneling microscopy) on meetod keemias, mis võimaldab saada pinna topograafiast kolmemõõtmelist informatsiooni ja kujutada pinda atomaarsel tasemel.[1] STM tagab piisavalt hea lahutusvõime: pinnal umbes 0,1 nm ja sügavuti ligikaudu 0,01 nm.[2]

STM kasutab elektronide laineomadusi, nimelt elektronid võivad tungida läbi sealt, kus klassikaline mehaanika seda ei lubaks. Sellist nähtust nimetatakse tunneliefektiks. STM põhineb teraviku ja pinna vahel tekkiva tunnelvoolu mõõtmisel.[3] STM-i saab kasutada nii ülikõrge vaakumi keskkonnas kui ka õhu, gaasi, vee ja mitmesugustes lahuselistes keskkondades. Mõõtmisi saab läbi viia temperatuuridel ligikaudu nullist kelvinist kuni mõnesaja kraadini Celsiuse järgi.[2]

Skaneeriv tunnelmikroskoopia kuulub skaneeriva teravikmikroskoopia perekonda.[4]

  1. Viitamistõrge: Vigane <ref>-silt. Viide nimega McCash on ilma tekstita.
  2. 2,0 2,1 Viitamistõrge: Vigane <ref>-silt. Viide nimega Bai on ilma tekstita.
  3. Viitamistõrge: Vigane <ref>-silt. Viide nimega MSE on ilma tekstita.
  4. Viitamistõrge: Vigane <ref>-silt. Viide nimega Mironov on ilma tekstita.

Developed by StudentB