Transistore

Transistoreak^[1][2] solido-egoerako dispositibo elektronikoak dira, hau da, solidoa den material erdieroalez (Silizioz, batik bat) eginda daude.

Transistorea seinale elektrikoak eta potentzia handitzeko edo aldatzeko erabiltzen den gailu erdieroalea da. Elektronika modernoaren oinarrizko elementuetako bat da^[3]. Material erdieroalez osatuta dago, normalean, zirkuitu elektroniko batera konektatzeko gutxienez hiru terminal ditu. Transistorearen terminalen pare bati aplikatzen zaion tentsio edo korronte batek beste terminal pare baten bidez kontrolatzen du korrontea. Kontrolatutako (irteera) potentzia kontrolatzailea (sarrera) baino handiagoa izan daitekeenez, transistore batek seinalea anplifika dezake. Transistore batzuk banaka paketatzen dira, baina beste asko, miniaturan, zirkuitu integratuetan txertatuta aurkitzen dira. Transistoreak elektronika moderno ia guztietan funtsezko osagai aktiboak direnez, jende askok XX.mendeko asmakizun handienetakotzat jotzen du^[4].

Julius Edgar Lilienfeld fisikariak eremu-efektuko transistorearen (FET) kontzeptua proposatu zuen 1926an, baina, garai hartan, ezin zen gailu funtzionalik egin^[5]. Laneko lehen gailua 1947an asmatutako transistore bat izan zen, John Bardeen, Walter Brattain eta William Shockley fisikariek Bell Laborategietan asmatu eta 1956ko Fisikako Nobel Saria partekatu zutena^[6]. Gehien erabiltzen den transistore mota metal-oxido-erdieroalearen eremu-efektuko transistorea (MOSFET) da; MOSFET transistorea Bell Laborategietan asmatu zen 1955 eta 1960 artean^{[7][8][9][10][11][12]}. Transistoreek elektronikaren eremua irauli zuten, eta irrati, kalkulagailu, ordenagailu eta beste gailu elektroniko txikiago eta merkeagoei bide eman zien.

Transistore gehienak silizio oso garbiz eginak dira, eta batzuk, germaniozkoak, baina, batzuetan, beste material erdieroale batzuk erabiltzen dira. Transistore batek karga-eramaile bakarra izan dezake eremu-efektuko transistore batean, edo bi karga-eramaile izan ditzake juntura bipolarren transistore-gailuetan. Huts-hodiarekin alderatuta, transistoreak, oro har, txikiagoak dira, eta, funtzionatzeko, potentzia gutxiago behar dute. Huts-hodi batzuek, transistoreen aldean, abantailak dituzte funtzionamendu-maiztasun oso altuetan edo funtzionamendu-tentsio altuetan, hala nola uhin-hodi bidaiaria eta girotroiak. Transistore mota asko fabrikatzaile anitzek zehaztapen estandarizatuekin egiten dituzte.

1. ↑ Euskaltzaindiaren hiztegia, transistore, Euskaltzaindia
2. ↑ Zehazki Hiztegia, Euskal Herriko Unibertsitatea
3. ↑ Transistor. .
4. ↑ A History of the Invention of the Transistor and Where It Will Lead Us. December 1997.
5. ↑ 1926 – Field Effect Semiconductor Device Concepts Patented. .
6. ↑ The Nobel Prize in Physics 1956. Nobel Media AB.
7. ↑ Huff, Howard; Riordan, Michael. (2007-09-01). «Frosch and Derick: Fifty Years Later (Foreword)» The Electrochemical Society Interface 16 (3): 29.  doi:10.1149/2.F02073IF. ISSN 1064-8208..
8. ↑ (Ingelesez) Frosch, C. J.; Derick, L. (1957). «Surface Protection and Selective Masking during Diffusion in Silicon» Journal of the Electrochemical Society 104 (9): 547.  doi:10.1149/1.2428650..
9. ↑ KAHNG, D.. (1961). «Silicon-Silicon Dioxide Surface Device» Technical Memorandum of Bell Laboratories: 583–596.  doi:10.1142/9789814503464_0076. ISBN 978-981-02-0209-5..
10. ↑ Lojek, Bo. (2007). History of Semiconductor Engineering. Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 321 or. ISBN 978-3-540-34258-8..
11. ↑ (Ingelesez) Ligenza, J.R.; Spitzer, W.G.. (1960). «The mechanisms for silicon oxidation in steam and oxygen» Journal of Physics and Chemistry of Solids 14: 131–136.  doi:10.1016/0022-3697(60)90219-5..
12. ↑ Lojek, Bo. (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media, 120 or. ISBN 9783540342588..