Back ذاكرة تغيير الطور Arabic PRAM Catalan Phase-change Random Access Memory German Phase-change memory English PRAM Spanish Faasimuutmälu Estonian Mémoire à changement de phase French Memoria a cambiamento di fase Italian 相変化メモリ Japanese PRAM Korean
| Muistityypit |
| Haihtuvat muistityypit |
| Haihtumattomat muistityypit |
Faasimuutosmuisti (engl. Phase-change memory, PCM tai PRAM) on tietotekniikassa muistityyppi, joka on haihtumatonta muistia.[1][2] Muistityypin tekniikkaa on tutkittu ja kehitetty 1960-luvulta lähtien.[1] Muistin sanotaan tarjoavan parempaa kirjoitusnopeutta ja pienempää virrankäyttöä kuin flash-muistin.[1] Koska PCM-muisti ei tarvitse pyyhkimistä ennen kirjoittamista sen arvioidaan kestävän pidempään kuin flashin.[1]
- ↑ a b c d Sean Michael Kerner: What is Phase Change Memory? enterprisestorageforum.com. 18.7.2019. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ Otto Räisänen: Faasimuutosmuisti (PDF) lutpub.lut.fi. 13.11.2016. Viitattu 5.1.2021.