Back MRAM Catalan Magnetoresistive Random Access Memory German Magnetoresistive RAM English MRAM Spanish MRAM Estonian Magnetic Random Access Memory French MRAM ID Magnetoresistive Random Access Memory Italian 磁気抵抗メモリ Japanese 자기 저항 메모리 Korean
| Muistityypit |
| Haihtuvat muistityypit |
| Haihtumattomat muistityypit |
MRAM (Magnetoresistive RAM) on muistityyppi, joka on haihtumatonta muistia. Muisti käyttää elektronin spiniä tiedon tallennukseen ja siten kutsutaan spintronics-laitteeksi.[1] MRAM tallettaa tietoa magneettisesti (eikä sähkövarauksena).[2] Ulkoisen magneettikentän pitäisi olla hyvin voimakas häiritäkseen talletettua tilaa.[2] Toisin kuin SRAM- ja DRAM-muistit MRAM on immuuni ionisoivalle säteilylle ja soveltuu siten avaruusteollisuuden käyttöön.[3] Lisäksi MRAM toimii äärimmäisissä lämpötiloissa.[1] MRAM-muistin nopeutta on verrattu DRAM-muistien nopeuteen ja vaatii huomattavasti vähemmän virtaa kuin flash-muisti.[3]
Vuonna 2020 MRAM-piirejä oli saatavilla hyvin pienistä yhden gigabitin piireihin.[1] MRAM markkinoiden arvoksi Yhdysvalloissa arvioitiin 51,2 miljoonaa dollaria vuonna 2020 ja sen arvon ennakoidaan nousevan lähes kahteen miljardiin dollariin vuoteen 2027 mennessä.[4]
Muistityypistä on eri lajityyppejä kuten STT-MRAM (spin-transfer switching) ja TAS-MRAM (thermal-assisted switching).
- ↑ a b c What is MRAM? mram-info.com. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ a b Jim Handy: What’s the Difference Between All Those Emerging Memory Technologies? electronicdesign.com. 24.1.2018. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ a b Barry Hoberman: 11 Myths About MRAM electronicdesign.com. 18.1.2017. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)
- ↑ Global Magneto Resistive RAM (MRAM) Industry globenewswire.com. 18.8.2020. Viitattu 5.1.2021. (englanniksi)