FinFET

Transistor efek medan sirip (Inggris: Fin field-effect transistor, FinFET) adalah perangkat multi-gerbang, MOSFET (transistor efek medan semikonduktor oksida logam) yang dibangun di atas substrat di mana gerbang ditempatkan pada dua, tiga, atau empat sisi saluran atau dililitkan saluran, membentuk struktur gerbang ganda atau bahkan multi-gerbang. Perangkat ini diberi nama generik "FinFET" karena daerah sumber/kuras membentuk sirip pada permukaan silikon. Perangkat FinFET memiliki waktu pengalihan yang jauh lebih cepat dan kerapatan arus yang lebih tinggi daripada teknologi planar CMOS (semikonduktor oksida logam komplementer).

FinFET adalah jenis transistor non-planar, atau transistor "3D".^[1] Ini adalah dasar untuk fabrikasi perangkat semikonduktor nanoelektronik modern. Mikrochip yang menggunakan gerbang FinFET pertama kali dikomersialkan pada paruh pertama tahun 2010-an, dan menjadi desain gerbang yang dominan pada simpul proses 14 nm, 10 nm, dan 7 nm.

Hal ini umum untuk transistor FinFET tunggal berisi beberapa sirip, diatur berdampingan dan semua ditutupi oleh gerbang yang sama, yang bertindak secara elektrik sebagai satu, untuk meningkatkan kekuatan dan kinerja penggerak.^[2]

1. ^ "What is Finfet?". www.computerhope.com (dalam bahasa Inggris). Diarsipkan dari versi asli tanggal 2019-07-04. Diakses tanggal 2022-06-28. 
2. ^ Shimpi, Anand Lal. "Intel Announces first 22nm 3D Tri-Gate Transistors, Shipping in 2H 2011". www.anandtech.com. Diarsipkan dari versi asli tanggal 2023-06-12. Diakses tanggal 2022-06-28.