Silikon karbida

Silikon karbida

Nama
Nama IUPAC (preferensi) Silicon carbide
Nama lain Carborundum Moissanite
Penanda
Nomor CAS	409-21-2 Y
Model 3D (JSmol)	Gambar interaktif
3DMet	{{{3DMet}}}
ChEBI	CHEBI:29390 Y
ChemSpider	9479 Y
Nomor EC
Referensi Gmelin	13642
MeSH	Silicon+carbide
PubChem CID	9863
Nomor RTECS	{{{value}}}
CompTox Dashboard (EPA)	DTXSID5052751
InChI InChI=1S/CSi/c1-2 Y Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Y Key: HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYAF InChI=1/CSi/c1-2
SMILES [C-]#[Si+]
Sifat
Rumus kimia	CSi
Massa molar	40,10 g·mol−1
Penampilan	Kuning hingga hijau sampai hitam kebiruan, kristal warna-warni[1]
Densitas	3,16 g·cm−3 (hex.)[2]
Titik lebur	2830 °C [2] (terdekomposisi)
Mobilitas elektron	~900 cm2/V·s (seluruh polytype)
Suseptibilitas magnetik (χ)	−12,8·10−6 cm3/mol[3]
Indeks bias (nD)	2,55 (inframerah; seluruh polytype)[4]
Bahaya
Klasifikasi UE (DSD) (usang)	Tak terdaftar
Batas imbas kesehatan AS (NIOSH):
PEL (yang diperbolehkan)	TWA 15 mg/m3 (total) TWA 5 mg/m3 (resp)[1]
REL (yang direkomendasikan)	TWA 10 mg/m3 (total) TWA 5 mg/m3 (resp)[1]
IDLH (langsung berbahaya)	N.D.[1]
Kecuali dinyatakan lain, data di atas berlaku pada suhu dan tekanan standar (25 °C [77 °F], 100 kPa).
Y verifikasi (apa ini YN ?)
Referensi

'Silikon karbida' ('SiC'), dikenal juga sebagai carborundum, adalah senyawa silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC. Ia terjadi di alam sebagai mineral yang sangat langka moissanite. Serbuk silikon karbida sintetis telah diproduksi massal sejak 1893 untuk digunakan sebagai abrasif. Butiran silikon karbida dapat disatukan dengan cara sintering membentuk keramik yang sangat keras yang banyak digunakan pada aplikasi yang memerlukan daya tahan tinggi, seperti rem mobil, kopling mobil dan pelat trauma untuk rompi anti peluru. Aplikasi elektronik silikon karbida seperti untuk Light-Emitting Diode, (LED) dan detektor dalam radio-radio awal yang pertama kali didemonstrasikan pada sekitar tahun 1907. SiC digunakan sebagai semikonduktor dalam modul elektronik yang beroperasi pada suhu tinggi dan/atau tegangan tinggi. Kristal tunggal besar silikon karbida dapat tumbuh dengan metode Lely; mereka dapat dipotong menjadi batu permata yang dikenal sebagai moissanite sintetis. Silikon karbida dengan area permukaan tinggi dapat diproduksi dari SiO₂ yang terkandung dalam bahan tanaman.

1. ^ ^{a b c d} "NIOSH Pocket Guide to Chemical Hazards #0555". National Institute for Occupational Safety and Health (NIOSH). 
2. ^ ^{a b} Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (edisi ke-92). Boca Raton, FL: CRC Press. hlm. 4.88. ISBN 1439855110. 
3. ^ Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (edisi ke-92). Boca Raton, FL: CRC Press. hlm. 4.135. ISBN 1439855110. 
4. ^ "Properties of Silicon Carbide (SiC)". Ioffe Institute. Diakses tanggal 2009-06-06.