Memorie DRAM

Acest articol sau această secțiune are bibliografia incompletă sau inexistentă. Puteți contribui prin adăugarea de referințe în vederea susținerii bibliografice a afirmațiilor pe care le conține.

Dynamic random access memory (DRAM) este un tip de memorie cu acces direct care stochează fiecare bit de date într-un condensator separat, într-un circuit integrat. Deoarece condensatoarele se descarcă, informația se poate șterge în cazul în care prin semnalele de comandă nu se specifică reîncărcarea celulelor cu un anumit conținut. Această operație se numește „reîmprospătarea memoriei” (refreshing memory). Avantajul memoriei DRAM este simplitatea structurii: doar un tranzistor si un condensator sunt necesare pe bit, spre deosebire de memoria SRAM care are nevoie de șase tranzistoare. Acest lucru permite memoriei DRAM să atingă o densitate de stocare foarte înaltă. Spre deosebire de memoria flash, este o memorie volatilă, pentru că își pierde datele atunci când nu mai este alimentată. Tranzistoarele si condensatoarele folosite sunt extrem de mici astfel încat pe un singur chip de memorie pot încăpea milioane.