Dopning (fysik)

Den här artikeln behöver källhänvisningar för att kunna verifieras. (2021-01) Åtgärda genom att lägga till pålitliga källor (gärna som fotnoter). Uppgifter utan källhänvisning kan ifrågasättas och tas bort utan att det behöver diskuteras på diskussionssidan.

Dopning är en beteckning på ett stort antal kemiska processer där man tillsätter ett störämne (se bild) till en struktur för att ändra någon egenskap hos denna.

Exempel på dopning är tillsättning av ett grundämne ur grupp III eller grupp V i halvledare av kisel. I detta fall rör det sig om mycket små mängder. Men dopning kan även vara mängder upp till 50 % ersättning av ett ämne i grundstrukturen med dopämnet.

Dopning i halvledare kan också ske elektroniskt, genom elektrondiffusion, injektion eller inversion.

När störämnet har fler valenselektroner än ämnet man dopar stör man elektronparbindningen då det blir en elektron över per tillsatt störämnesatom (se översta bilden till höger). Denna elektron är det som bär laddningen i ämnet och eftersom en elektron är negativt laddad så säger man att ämnet är n-dopat (efter n som i negativ).

När störämnet har färre valenselektroner än ämnet man dopar stör man elektronparbindningen då det blir ett hål över per tillsatt störämnesatom (se nedersta bilden till höger). Detta hål är det som bär laddningen i ämnet och eftersom ett hål, teoretiskt sett är positivt laddat så säger man att ämnet är p-dopat (efter p som i positiv).